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图片仅供参考，请参考产品描述

  • STB120N4LF6

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:40 V
  • Id-连续漏极电流:80 A
  • Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:80 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:110 W
  • 配置:Single
  • 资格:AEC-Q101
  • 商标名:STripFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 系列:STB120N4LF6
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:STMicroelectronics
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 单位重量:4 g

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