专注IC现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-84862070

当前位置:  ST(意法半导体)  >>  ST相关型号  >>  STGW40H65DFB详细信息

STGW40H65DFB相关型号
  • LSM303CTR

    加速计 Ultra-compact High performance 3D accel

  • LIS2HH12TR

    加速计 3-axis accelerometer, +/-2g/+/-4g/+/-8g full scale, high-speed I2C/SPI digital output, ultra-low-power, integrated FIFO

  • LIS331DLHTR

    加速计 DGTL OUTPT MTN SEN MEMS ULTRA LO PWR

  • L3GD20HTR

    陀螺仪 MEMS motion sensor 3axis digital output

  • LIS3DSHTR

    加速计 MEMS 3-Axis Nano 1.71 to 3.6V 1.6kHz

  • LIS3LV02DLTR

    加速计 MEMS INERTIAL snsr 3 axis

  • LIS2DHTR

    加速计 MEMS 3-Axis Femto 1.71 to 3.6V 2uA LP

  • LSM6DS33TR

    IMU-惯性测量单元 iNEMO inertial module: always-on 3D accelerometer and 3D gyroscope

ST(意法半导体)热销型号
  • Z0402MF0AA2

    双向可控硅 4A 双向可控硅

  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-GNSS1A1

    GPS开发工具 GNSS expansion board based on Teseo-LIV3F module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC02A1

    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDS01A5

    射频开发工具 Sub-1 GHz RF expansion board based on the SPSGRF-915 module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC04A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • STGW40H65DFB

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,STGW40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.8 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:80 A
  • Pd-功率耗散:283 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:STGW40H65DFB
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:40 A
  • 商标:STMicroelectronics
  • 栅极—射极漏泄电流:250 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:600
  • 子类别:IGBTs
  • 单位重量:38 g

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

ST的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户