专注IC现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：0755-84862070

当前位置:  ST(意法半导体)  >>  ST相关型号  >>  SCTWA50N120详细信息

SCTWA50N120相关型号

  • VNH5050ATR-E

    马达/运动/点火控制器和驱动器 Automotive H-Bridge 50mOhm 30A 41V VCC

  • VNH5050A-E

    马达/运动/点火控制器和驱动器 Automotive H-Bridge 50mOhm 30A 41V VCC

  • VN751STR

    门驱动器 High Side Driver

  • VNH5019ATR-E

    马达/运动/点火控制器和驱动器 Automotive H-Bridge 18mOhm 30A 41V VCC

  • VNN3NV04PTR-E

    门驱动器 OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V

  • VN5160STR-E

    门驱动器 Sngl Ch HiSide Drivr

  • VNS3NV04DPTR-E

    门驱动器 OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

  • VNS3NV04DP-E

    门驱动器 OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

ST(意法半导体)热销型号

  • Z0402MF0AA2

    双向可控硅 4A 双向可控硅

  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-GNSS1A1

    GPS开发工具 GNSS expansion board based on Teseo-LIV3F module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC02A1

    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDS01A5

    射频开发工具 Sub-1 GHz RF expansion board based on the SPSGRF-915 module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC04A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SCTWA50N120

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，SCTWA50N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:SiC
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:HiP-247-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
  • Id-连续漏极电流:65 A
  • Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:25 V
  • Qg-栅极电荷:122 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 200 C
  • Pd-功率耗散:318 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:HiP247â?¢
  • 系列:SCTWA50N120
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:STMicroelectronics
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:600
  • 子类别:MOSFETs

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

ST的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市大源实业科技有限公司

国内主要的从事ST(意法半导体)产品的销售，大小批量出货

7X24小时询价热线

0755-84862070