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图片仅供参考,请参考产品描述

  • STB4NK60Z-1

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-262-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:4 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:70 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:SuperMESH
  • 封装:Tube
  • 高度:8.95 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:STB4NK60Z-1
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.4 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 下降时间:16.5 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:9.5 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:29 ns
  • 典型接通延迟时间:12 ns
  • 单位重量:1.438 g

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