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STQ1NC45R-AP相关型号
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ST(意法半导体)热销型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • STQ1NC45R-AP

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET POWER MOSFET
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  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:450 V
  • Id-连续漏极电流:500 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:3.1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 系列:STQ1NC45R
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:STMicroelectronics
  • 下降时间:12 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:4 ns
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型接通延迟时间:6.7 ns
  • 单位重量:220 mg

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