专注IC现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-84862070

当前位置:  ST(意法半导体)  >>  ST相关型号  >>  STD110N8F6详细信息

STD110N8F6相关型号
  • STL130N8F7

    MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

  • STD6N95K5

    MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

  • STGP40V60F

    IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT

  • STD18N65M5

    MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

  • STL24N60DM2

    MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

  • STGWT60H65DFB

    IGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

  • STH310N10F7-2

    MOSFET N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

  • STP20N95K5

    MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

ST(意法半导体)热销型号
  • Z0402MF0AA2

    双向可控硅 4A 双向可控硅

  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-GNSS1A1

    GPS开发工具 GNSS expansion board based on Teseo-LIV3F module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC02A1

    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDS01A5

    射频开发工具 Sub-1 GHz RF expansion board based on the SPSGRF-915 module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-NFC04A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • STD110N8F6

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,STD110N8F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:80 V
  • Id-连续漏极电流:80 A
  • Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:150 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:167 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:STripFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.4 mm
  • 长度:10.1 mm
  • 产品:Power MOSFET
  • 系列:STD110N8F6
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:STripFET
  • 宽度:6.6 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 下降时间:48 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:61 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:162 ns
  • 典型接通延迟时间:24 ns
  • 单位重量:4 g

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

ST的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户