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STBV32-AP相关型号

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ST(意法半导体)热销型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • STBV32-AP

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • 系列:STBV32
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 技术:Si
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
  • 集电极连续电流:1.5 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92AP
  • 直流电流增益 hFE 最大值:20
  • 高度:4.5 mm
  • 长度:4.8 mm
  • 类型:RF Bipolar Small Signal
  • 宽度:3.8 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 最大直流电集电极电流:1.5 A
  • Pd-功率耗散:1500 mW
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:Transistors

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