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STF27N60M2-EP相关型号
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  • STGIF10CH60TS-L

    IGBT 模块 SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct

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    IGBT 模块 600V 20A SLIMM 3-Ph Trench Gate IGBT

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ST(意法半导体)热销型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • STF27N60M2-EP

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:20 A
  • Rds On-漏源导通电阻:163 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:25 V
  • Qg-栅极电荷:33 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:30 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:MDmesh
  • 系列:STF27N60M2-EP
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:STMicroelectronics
  • 下降时间:6.3 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:8.1 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:55.6 ns
  • 典型接通延迟时间:13.4 ns

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