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STL36DN6F7相关型号
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    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • STL36DN6F7

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET Dual N-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 36 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerFLAT5x6-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:33 A
  • Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms, 23 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:8 nC, 8 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:58 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:STripFET
  • 系列:STL36DN6F7
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 商标:STMicroelectronics
  • 下降时间:3.95 ns, 3.95 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3.25 ns, 3.25 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:12.1 ns, 12.1 ns
  • 典型接通延迟时间:7.85 ns, 7.85 ns

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