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图片仅供参考，请参考产品描述

  • STGP30H60DFB

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.55 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:60 A
  • Pd-功率耗散:260 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:STGP30H60DFB
  • 集电极最大连续电流 Ic:60 A
  • 商标:STMicroelectronics
  • 栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:IGBTs

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