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STTH1L06相关型号
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    MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

  • STB17N80K5

    MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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    MOSFET N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 15 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

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    MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

  • STD5N60DM2

    MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

  • STS7P4LLF6

    MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 7 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

ST(意法半导体)热销型号
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  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

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  • X-NUCLEO-NFC02A1

    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDS01A5

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  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • STTH1L06

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:整流器 Vr/600V Io/1A BULK
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:整流器
  • RoHS:
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:DO-41
  • Vr - 反向电压 :600 V
  • If - 正向电流:1 A
  • 类型:Fast Recovery Rectifiers
  • 配置:Single
  • Vf - 正向电压:1.3 V
  • 最大浪涌电流:30 A
  • Ir - 反向电流 :1 uA
  • 恢复时间:80 ns
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:STTH1L06
  • 高度:2.71 mm
  • 长度:5.2 mm
  • 产品:Rectifiers
  • 端接类型:Through Hole
  • 宽度:2.71 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • Pd-功率耗散:-
  • 产品类型:Rectifiers
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:Diodes & Rectifiers
  • 单位重量:310 mg

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