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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BU508AW

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg NPN Pwr transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:是
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 晶体管极性:NPN
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:700 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
  • 集电极—射极饱和电压:1 V
  • 最大直流电集电极电流:15 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 系列:BU508AW
  • 高度:20.15 mm (Max)
  • 长度:15.75 mm (Max)
  • 封装:Tube
  • 宽度:5.15 mm (Max)
  • 商标:STMicroelectronics
  • Pd-功率耗散:125000 mW
  • 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:600
  • 子类别:Transistors
  • 单位重量:6.500 g

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