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图片仅供参考，请参考产品描述

  • PD85035STR-E

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 技术:Si
  • Id-连续漏极电流:8 A
  • Vds-漏源极击穿电压:40 V
  • 增益:14.9 dB
  • 输出功率:35 W
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Straight-4
  • 封装:Reel
  • 配置:Single
  • 高度:3.5 mm
  • 长度:7.5 mm
  • 工作频率:1 GHz
  • 系列:PD85035-E
  • 类型:RF Power MOSFET
  • 宽度:9.4 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 通道模式:Enhancement
  • 湿度敏感性:Yes
  • Pd-功率耗散:95 W
  • 产品类型:RF MOSFET Transistors
  • 工厂包装数量:600
  • 子类别:MOSFETs
  • Vgs - 栅极-源极电压:15 V
  • 单位重量:3 g

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