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M93S66-WMN6P相关型号
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    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

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    MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp

  • SCTWA50N120

    MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

  • STE139N65M5

    MOSFET N-channel 650 V, 0.014 Ohm typ., 130 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package

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    MOSFET N-Ch 600 Volt 70 Amp

  • SD2931-11W

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

  • SD2931-12W

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

  • SD2931-12MR

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ST(意法半导体)热销型号
  • Z0402MF0AA2

    双向可控硅 4A 双向可控硅

  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-GNSS1A1

    GPS开发工具 GNSS expansion board based on Teseo-LIV3F module for STM32 Nucleo

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    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDS01A5

    射频开发工具 Sub-1 GHz RF expansion board based on the SPSGRF-915 module for STM32 Nucleo

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  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • M93S66-WMN6P

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:电可擦除可编程只读存储器 5.5V 4K (256x16)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,M93S66-WMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:电可擦除可编程只读存储器
  • RoHS:
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8
  • 存储容量:4 kbit
  • 组织:256 x 16
  • 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire
  • 数据保留:40 Year
  • 最大时钟频率:2 MHz
  • 电源电流—最大值:2 mA
  • 电源电压-最小:2.5 V
  • 电源电压-最大:5.5 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 系列:M93S66-W
  • 高度:1.65 mm
  • 长度:5 mm
  • 宽度:4 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 工作电源电流:2 mA
  • 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V
  • 产品类型:EEPROM
  • 编程电压:2.5 V to 5.5 V
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:Memory & Data Storage
  • 单位重量:143 mg

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