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TIP36C相关型号
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    MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

  • STL23NM50N

    MOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET

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  • STAC3932B

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.

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    MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

  • STY100NM60N

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  • STL31N65M5

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ST(意法半导体)热销型号
  • Z0402MF0AA2

    双向可控硅 4A 双向可控硅

  • X-NUCLEO-EEPRMA1

    存储器 IC 开发工具 Standard I C and SPI EEPROM memory expansion board based on M24xx and M95xx series for STM32 Nucleo

  • X-NUCLEO-IDW04A1

    WiFi / 802.11 Development Tools Wi-Fi expansion board based on SPWF04SA module for STM32 Nucleo

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    射频识别变换器工具 Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo

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    射频开发工具 Sub-1 GHz RF expansion board based on the SPSGRF-915 module for STM32 Nucleo

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  • X-NUCLEO-NFC05A1

    射频识别变换器工具 BOARD & REF DESIGN

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TIP36C

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:19+
  • 描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur Power
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 晶体管极性:PNP
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.8 V
  • 最大直流电集电极电流:25 A
  • 增益带宽产品fT:3 MHz
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 系列:TIP36C
  • 高度:20.15 mm
  • 长度:15.75 mm
  • 宽度:5.15 mm
  • 商标:STMicroelectronics
  • 集电极连续电流:25 A
  • Pd-功率耗散:125 W
  • 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:600
  • 子类别:Transistors
  • 单位重量:6.500 g

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